Статья: Российские нобелевские лауреаты

Нобелевской премии (одной на двоих) за «работы по получению полупроводниковых

структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров».

(Любопытно, что так же пришлось поделить Нобелевскую премию по физике за 1958

г. между советскими физиками Павлом Черенковым и Ильей Франком и за 1964 г. –

между опять-таки советскими физиками Александром Прохоровым и Николаем

Басовым.) Еще один американец, сотрудник корпорации «Техас Инструментс» Джек

Килби, удостоен награды за работы в области интегральных схем.

Итак, кто же он, новый российский нобелевский лауреат?

Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года

семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой

классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в

Минск, где А. окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал

студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского

электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова по совету школьного

учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

На третьем курсе А. пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П.

Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Наталии

Николаевны Созиной. Со студенческих лет А. привлекал к участию в научных

исследованиях других студентов. Так, в 1950 году полупроводники стали главным

делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, А. был принят на работу в Физико-

технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой

половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать

отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную

промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов

чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При

участии А. были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые

германиевые приборы За комплекс проведенных работ в 1959 году А. получил

первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация,

подводившая черту под десятилетней работой.

После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего

направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке

собственной темы. В те годы была высказана идея использования в

полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на

их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных

конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в

этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на

гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач

крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и

получении необходимых гетеропар.

Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований

им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими

фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны,

величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель

преломления и т.д. внутри единого монокристалла.

Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти

мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера.

И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А.

Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко

известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров

с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры,

близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире

полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной

температуре.

Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений

– «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах

– позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных

полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно

перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап

исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в

докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.

Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной

наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную

медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для

награждения за лучшие работы в области физики. Затем следует самая высокая

награда СССР – Ленинская премия (1972 год).

С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии

высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе

AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано

крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для

космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической

станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного

снижения мощности.

На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками

идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы

полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной

области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве

источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной

дальности.

В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под

руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств

наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993...1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе

структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И.

Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер

на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной

температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона

лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом,

исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на

основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной

сегодня как «зонная инженерия».

Награда нашла героя

В одном из своих многочисленных интервью (1984 год) на вопрос корреспондента:

«По слухам, Вы нынче были представлены к Нобелевской премии. Не обидно, что

не получили?» Жорес Иванович ответил: «Слышал, что представляли уже не раз.

Практика показывает – либо ее дают стразу после открытия (в моем случае это

середина 70-х годов), либо уже в глубокой старости. Так было с П.Л. Капицей.

Значит, у меня еще все впереди».

Здесь Жорес Иванович ошибся. Как говорится, награда нашла героя раньше

наступления глубокой старости. 10 октября 2000 года по всем программам

российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской

премии по физике за 2000 год.

...Современные информационные системы должны отвечать двум простым, но

основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации,

можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы

уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу

такой современной техники. Жорес И. Алфёров и Герберт Кремер открыли и

развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на

базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по

волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в

проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в

лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие

диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и

светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко

используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные

эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Джек Килби награжден за свой вклад в открытие и развитие интегральных

микросхем, благодаря чему стала быстро развиваться микроэлектроника,

являющаяся – наряду с оптоэлектроникой – основой всей современной техники.

Учитель, воспитай ученика...

В 1973 году А., при поддержке ректора ЛЭТИ А.А. Вавилова, организовал базовую

кафедру оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники Физико-

технического института им. А.Ф. Иоффе.

В невероятно сжатые сроки Ж.И. Алфёров совестно с Б.П. Захарченей и другими

учеными Физтеха разработал учебный план подготовки инженеров по новой

кафедре. Он предусматривал обучение студентов первого и второго курсов в

стенах ЛЭТИ, поскольку уровень физико-математической подготовки на ФЭТ был

высоким и создавал хороший фундамент для изучения специальных дисциплин,

которые, начиная с третьего курса, читались учеными Физтеха на его

территории. Там же с использованием новейшего технологического и

аналитического оборудования выполнялись лабораторные практикумы, а также

курсовые и дипломные проекты под руководством преподавателей базовой кафедры.

Прием студентов на первый курс в количестве 25 человек осуществлялся через

вступительные экзамены, а комплектование групп второго и третьего курсов для

обучения по кафедре ОЭ проходило из студентов, обучавшихся на ФЭТ и на

кафедре диэлектриков и полупроводников Электрофизического факультета.

Комиссию по отбору студентов возглавлял Жорес Иванович. Из примерно 250

студентов, обучавшихся на каждом курсе, было отобрано по 25 лучших. 15

сентября 1973 года начались занятия студентов вторых и третьих курсов. Для

этого был подобран прекрасный профессорско-преподавательский состав.

Ж.И. Алфёров очень большое внимание уделял и уделяет формированию контингента

студентов первого курса. По его инициативе в первые годы работы кафедры в

период весенних школьных каникул проводились ежегодные школы «Физика и

жизнь». Ее слушателями были учащиеся выпускных классов школ Ленинграда. По

рекомендации учителей физики и математики наиболее одаренным школьникам

вручались приглашения принять участие в работе этой школы. Таким образом

набиралась группа в количестве 30...40 человек. Они размещались в

институтском пионерском лагере «Звездный». Все расходы, связанны с

проживанием, питанием и обслуживанием школьников, наш вуз брал на себя.

На открытие школы приезжали все ее лекторы во главе с Ж.И. Алфёровым. Все

проходило и торжественно, и очень по-домашнему. Первую лекцию читал Жорес

Иванович. Он так увлекательно говорил о физике, электронике,

гетероструктурах, что все его слушали как завороженные. Но и после лекции не

прекращалось общение Ж.И. Алфёрова с ребятами. Окруженный ими, он ходил по

территории лагеря, играл в снежки, дурачился. Насколько не формально он

относился к этому «мероприятию», говорит тот факт, что в эти поездки Жорес

Иванович брал свою жену Тамару Георгиевну и сына Ваню...

Результаты работы школы не замедлили сказаться. В 1977 году состоялся первый

выпуск инженеров по кафедре ОЭ, количество выпускников, получивших дипломы с

отличием, на факультете удвоилось. Одна группа студентов этой кафедры дала

столько же «красных» дипломов, сколько остальные семь групп.

В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-

технический факультет.

Следующим логическим шагом стало объединение этих структур под одной крышей.

К реализации данной идеи Ж.И. Алфёров приступил еще в начале 90-х годов. При

этом он не просто строил здание Научно-образовательного центра, он закладывал

фундамент будущего возрождения страны... И вот первого сентября 1999 года

здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй.

На том стоит и стоять будет русская земля...

Алфёров всегда остается самим собой. В общении с министрами и студентами,

директорами предприятий и простыми людьми он одинаково ровен. Не

подстраивается под первых, не возвышается над вторыми, но всегда с

убежденностью отстаивает свою точку зрения.

Ж.И. Алфёров всегда занят. Его рабочий график расписан на месяц вперед, а

недельный рабочий цикл таков: утро понедельника – Физтех (он его директор),

вторая половина дня – Санкт-Петербургский научный центр (он председатель);

вторник, среда и четверг – Москва (он член Государственной думы и вице-

президент РАН, к тому же нужно решать многочисленные вопросы в министерствах)

или Санкт-Петербург (тоже вопросов выше головы); утро пятницы – Физтех,

вторая половина дня – Научно-образовательный центр (директор). Это только

крупные штрихи, а между ними – научная работа, руководство кафедрой ОЭ в ЭТУ

и физико-техническим факультетом в ТУ, чтение лекций, участие в конференциях.

Всего не перечесть!

Наш лауреат прекрасный лектор и рассказчик. Неслучайно все информационные

агентства мира отметили именно Алфёровскую Нобелевскую лекцию, которую он

прочитал на английском языке без конспекта и с присущим ему блеском.

При вручении Нобелевских премий существует традиция, когда на банкете,

который устраивает король Швеции в честь Нобелевских лауреатов (на нем

присутствуют свыше тысячи гостей), представляется слово только одному

лауреату от каждой «номинации». В 2000 году Нобелевской премии по физике были

удостоены три человека: Ж.И. Алфёров, Герберт Кремер и Джек Килби. Так вот

двое последних уговорили Жореса Ивановича выступить на этом банкете. И он эту

просьбу выполнил блестяще, в своем слове удачно обыграв нашу российскую

привычку делать «одно любимое дело» на троих.

В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что

создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей

стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию

или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а

благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и

развитию научного потенциала и образования.

3. Нобелевские лауреаты по химии

3.1 СЕМЁНОВ, Николай

15 апреля 1896 г. – 25 сентября 1986 г.

Нобелевская премия по химии, 1956 г.совместно с Сирилом Н. Хиншелвудом

Русский физикохимик Николай Николаевич Семёнов родился в Саратове, в семье

Николая и Елены Дмитриевны Семёновых. Окончив в 1913 г. среднюю школу в

Самаре, он поступил на физико-математический факультет Санкт-Петербургского

(Ленинградского) университета, где, занимаясь у известного русского физика

Абрама Иоффе, проявил себя активным студентом.

Окончив университет в 1917 г., в год свершения русской революции, С. работал

ассистентом на физическом факультете Томского университета в Сибири. В 1920

г. по приглашению Иоффе С. вернулся в Ленинград, став заместителем директора

Петроградского (Ленинградского) физико-технического института и руководителем

его лаборатории электронных явлений. В сотрудничестве с Петром Капицей С.

предложил способ измерения магнитного момента атома в неоднородном магнитном

поле, описав экспериментальный процесс в статье, которая была опубликована в

1922 г. Этот метод был позднее успешно развит Отто Штерном и Вальтером

Герлахом.

Проблема ионизации газов была, по-видимому, первой научной проблемой, которая

заинтересовала С. Еще будучи студентом университета, он опубликовал свою

первую статью, в которой говорилось о столкновениях между электронами и

молекулами. По возвращении из Томска С. занялся более глубокими

исследованиями процессов диссоциации и рекомбинации, в т.ч. потенциалом

ионизации металлов и паров солей. Результаты этих и других исследований

собраны в книге «Химия электрона», которую он написал в 1927 г. в соавторстве

с двумя своими студентами. С. интересовался также молекулярными аспектами

явлений адсорбции и конденсации паров на твердой поверхности. Проведенные им

исследования вскрыли взаимосвязь между плотностью пара и температурой

поверхности конденсации. В 1925 г. вместе с известным физиком-теоретиком

Яковом Френкелем он разработал всеобъемлющую теорию этих явлений.

Другая сфера интересов С. в то время относилась к изучению электрических

полей и явлений, связанных с прохождением электрического тока через газы и

твердые вещества. Ученый, в частности, исследовал прохождение электрического

тока через газы, а также механизм пробоя твердых диэлектриков (электрически

инертных веществ) под действием электрического тока. На основании этого

последнего исследования С. и Владимир Фок, прославившийся своими работами в

области квантовой физики, разработали теорию теплового пробоя диэлектриков.

Это в свою очередь подтолкнуло С. к проведению работы, которая привела к его

первому важному вкладу в науку о горении – созданию теории теплового взрыва и

горения газовых смесей. Согласно этой теории, тепло, выделяющееся в процессе

химической реакции, при определенных условиях не успевает отводиться из зоны

реакции и вызывает повышение температуры реагирующих веществ, ускоряя реакцию

и приводя к выделению еще большего количества тепла. Если нарастание

количества тепла идет достаточно быстро, то реакция может завершиться

взрывом.

Вскоре после окончания этой работы в 1928 г. С. был назначен профессором

Ленинградского физико-технического института, где он помог организовать

физико-механическое отделение, а также ввел обучение физической химии. По его

настоянию и с помощью его коллег, заинтересованных в развитии физической

химии, лаборатория физики электрона превратилась в 1931 г. в Институт

химической физики Академии наук СССР, и С. стал его первым директором. В 1929

г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, а в 1932 г. стал

академиком.

К этому времени С. вел глубокие исследования цепных реакций. Они представляют

собой серию самоинициируемых стадий в химической реакции, которая, однажды

начавшись, продолжается до тех пор, пока не будет пройдена последняя стадия.

Несмотря на то что немецкий химик Макс Боденштейн впервые предположил

возможность таких реакций еще в 1913 г., теории, объясняющей стадии цепной

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8



Реклама
В соцсетях
бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты бесплатно скачать рефераты